ସମ୍ବାଦ

ସମାଧାନ

ତାର ବନ୍ଧନ |

ଜ୍ଞାନ ଆଧାର ଫ୍ୟାକ୍ଟ ସିଟ୍ |

ତାର ବନ୍ଧନ କ’ଣ?

ତାର ବନ୍ଧନ ହେଉଛି ଏକ ପଦ୍ଧତି ଯାହା ଦ୍ sold ାରା ସୋଲଡର, ଫ୍ଲକ୍ସ ବ୍ୟବହାର ନକରି ଏକ ସୁସଙ୍ଗତ ଧାତବ ପୃଷ୍ଠରେ ଏକ ଲମ୍ବ ଛୋଟ ବ୍ୟାସ କୋମଳ ଧାତୁ ତାର ସଂଲଗ୍ନ ହୁଏ ଏବଂ କେତେକ କ୍ଷେତ୍ରରେ 150 ଡିଗ୍ରୀ ସେଲସିୟସରୁ ଅଧିକ ଉତ୍ତାପ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇଥାଏ | କୋମଳ ଧାତୁଗୁଡ଼ିକରେ ସୁନା (ଆୟୁ), ତମ୍ବା (କୁ), ସିଲଭର (ଏଗ୍), ଆଲୁମିନିୟମ୍ (ଅଲ୍) ଏବଂ ପାଲାଡିୟମ୍-ସିଲଭର (PdAg) ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଆଲୋଇସ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |

ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଆସେମ୍ବଲି ଆପ୍ଲିକେସନ୍ ପାଇଁ ତାର ତାର ବନ୍ଧନ କ ech ଶଳ ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ବୁ .ିବା |
ୱେଜ୍ ବନ୍ଧନ କ ech ଶଳ / ପ୍ରକ୍ରିୟା: ରିବନ୍, ଥର୍ମୋସୋନିକ୍ ବଲ୍ ଏବଂ ଅଲଟ୍ରାସୋନିକ୍ ୱେଜ୍ ବଣ୍ଡ |
ତାର ସଂଯୋଗ ହେଉଛି ଏକ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ (ଆଇସି) କିମ୍ବା ସମାନ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଉପକରଣ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ସମୟରେ ଏହାର ପ୍ୟାକେଜ୍ କିମ୍ବା ଲିଡଫ୍ରେମ୍ ମଧ୍ୟରେ ଆନ୍ତ c- ସଂଯୋଗ କରିବାର ପଦ୍ଧତି | ଲିଥିୟମ୍-ଆୟନ ବ୍ୟାଟେରୀ ପ୍ୟାକ୍ ଆସେମ୍ବଲିରେ ବ electrical ଦୁତିକ ସଂଯୋଗ ଯୋଗାଇବା ପାଇଁ ଏହା ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ୱାୟାର୍ ବଣ୍ଡିଂ ସାଧାରଣତ available ଉପଲବ୍ଧ ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଇଣ୍ଟରକନେକ୍ଟ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ସବୁଠାରୁ ବ୍ୟୟବହୁଳ ଏବଂ ନମନୀୟ ଭାବରେ ବିବେଚନା କରାଯାଏ ଏବଂ ଆଜି ଉତ୍ପାଦିତ ଅଧିକାଂଶ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ୟାକେଜରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଅନେକ ତାର ତାର ବନ୍ଧନ କ techni ଶଳ, ଏଥିରେ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ: ଥର୍ମୋ-ସଙ୍କୋଚନ ତାର ବନ୍ଧନ:
ଥର୍ମୋ-ସଙ୍କୋଚନ ତାର ବନ୍ଧନ (ସମ୍ଭାବ୍ୟ ପୃଷ୍ଠଗୁଡିକ (ସାଧାରଣତ A ଆୟୁ) ସହିତ ମିଳିତ ହୋଇ ଉଚ୍ଚ ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ ତାପମାତ୍ରା ସହିତ ଏକ କ୍ଲମ୍ପିଂ ଫୋର୍ସ ସହିତ ସାଧାରଣତ 300 300 ° C ରୁ ଅଧିକ, ଏକ ୱେଲ୍ଡ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ) ପ୍ରଥମେ 1950 ଦଶକରେ ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଆନ୍ତ c- ସଂଯୋଗ ପାଇଁ ବିକଶିତ ହୋଇଥିଲା, ତଥାପି ଏହା ଥିଲା | 60 ଦଶକରେ ଅଲଟ୍ରାସୋନିକ୍ ଏବଂ ଥର୍ମୋସୋନିକ୍ ବନ୍ଧନ ଦ୍ୱାରା ଶୀଘ୍ର ଆନ୍ତ inter- ସଂଯୋଗ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଭାବରେ ସ୍ଥାନିତ ହେଲା | ଥର୍ମୋ-ସଙ୍କୋଚନ ବନ୍ଧନ ଆଜି ମଧ୍ୟ ଭଲ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଛି, କିନ୍ତୁ ଏକ ସଫଳ ବନ୍ଧନ କରିବା ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ହେଉଥିବା ଉଚ୍ଚ (ପ୍ରାୟତ dam କ୍ଷତିକାରକ) ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ ତାପମାତ୍ରା କାରଣରୁ ନିର୍ମାତାମାନେ ଏହାକୁ ଏଡାଇ ଯାଆନ୍ତି | ଅଲଟ୍ରାସୋନିକ୍ ୱେଜ୍ ତାର ବନ୍ଧନ:
୧ 's 1960 ୦ର ଅଲଟ୍ରାସୋନିକ୍ ୱେଜ୍ ତାର ବନ୍ଧନ ପ୍ରାଧାନ୍ୟ ଆନ୍ତ c- ସଂଯୋଗ ପ୍ରଣାଳୀରେ ପରିଣତ ହେଲା | ଏକ ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି କମ୍ପନ (ଏକ ରିଜୋନେଟିଂ ଟ୍ରାନ୍ସଡ୍ୟୁସର ମାଧ୍ୟମରେ) ଏକକାଳୀନ କ୍ଲାମିଂ ଫୋର୍ସ ସହିତ ବଣ୍ଡିଂ ଟୁଲରେ ପ୍ରୟୋଗ, ଆଲୁମିନିୟମ ଏବଂ ସୁନା ତାରଗୁଡ଼ିକୁ କୋଠରୀ ତାପମାତ୍ରାରେ eld ାଲିବାକୁ ଅନୁମତି ଦେଲା | ଏହି ଅଲଟ୍ରାସୋନିକ୍ କମ୍ପନ ବଣ୍ଡିଂ ଚକ୍ର ଆରମ୍ଭରେ ବନ୍ଧନ ପୃଷ୍ଠରୁ ଦୂଷିତ ପଦାର୍ଥ (ଅକ୍ସାଇଡ୍, ଅପରିଷ୍କାର ଇତ୍ୟାଦି) ଅପସାରଣ କରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରେ ଏବଂ ବନ୍ଧର ବିକାଶ ଏବଂ ଦୃ strengthen କରିବା ପାଇଁ ମଧ୍ୟବର୍ତ୍ତୀ ଅଭିବୃଦ୍ଧିକୁ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କରେ | ବନ୍ଧନ ପାଇଁ ସାଧାରଣ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିଗୁଡିକ ହେଉଛି 60 - 120 KHz। ଅଲଟ୍ରାସୋନିକ୍ ୱେଜ୍ କ techni ଶଳର ଦୁଇଟି ମୁଖ୍ୟ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଅଛି: 100µ ମିଟର ବ୍ୟାସାର୍ଦ୍ଧ ତାର ପାଇଁ ବଡ଼ (ଭାରୀ) ତାର ବନ୍ଧନ <75µm ବ୍ୟାସ ତାର ପାଇଁ ଫାଇନ୍ (ଛୋଟ) ତାର ବନ୍ଧନ ସାଧାରଣ ଅଲଟ୍ରାସୋନିକ୍ ବନ୍ଧନ ଚକ୍ରର ଉଦାହରଣ ଏଠାରେ ମିଳିପାରିବ | ସୂକ୍ଷ୍ମ ତାର ପାଇଁ ଏବଂ ଏଠାରେ ବଡ଼ ତାର ପାଇଁ | ଅଲଟ୍ରାସୋନିକ୍ ୱେଜ୍ ତାର ବନ୍ଧନ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ବନ୍ଧନ ଉପକରଣ କିମ୍ବା “ୱେଜ୍” ବ୍ୟବହାର କରେ, ସାଧାରଣତ T ଟୁଙ୍ଗଷ୍ଟେନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ଆଲୁମିନିୟମ୍ ତାର ପାଇଁ) କିମ୍ବା ଟାଇଟାନିୟମ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ସୁନା ତାର ପାଇଁ) ପ୍ରକ୍ରିୟା ଆବଶ୍ୟକତା ଏବଂ ତାର ବ୍ୟାସ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ | ଭିନ୍ନ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ସେରାମିକ୍ ଟାଇପ୍ ୱେଜ୍ ମଧ୍ୟ ଉପଲବ୍ଧ | ଟର୍ମୋସୋନିକ୍ ତାର ତାର ବନ୍ଧନ:
ଯେଉଁଠାରେ ସପ୍ଲିମେଣ୍ଟାରୀ ଗରମ ଆବଶ୍ୟକ ହୁଏ (ସାଧାରଣତ Gold ସୁନା ତାର ପାଇଁ, 100 - 250 ° C ପରିସର ମଧ୍ୟରେ ବଣ୍ଡିଂ ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ ସହିତ), ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ଥର୍ମୋସୋନିକ୍ ତାର ବନ୍ଧନ କୁହାଯାଏ | ପାରମ୍ପାରିକ ଥର୍ମୋ-ସଙ୍କୋଚନ ପ୍ରଣାଳୀ ଉପରେ ଏହାର ବହୁତ ବଡ଼ ସୁବିଧା ଅଛି, ଯେତିକି କମ୍ ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ ତାପମାତ୍ରା ଆବଶ୍ୟକ (ରୁମ୍ ତାପମାତ୍ରାରେ ଆୟୁ ବଣ୍ଡିଂ ବିଷୟରେ ଉଲ୍ଲେଖ କରାଯାଇଛି କିନ୍ତୁ ଅଭ୍ୟାସରେ ଏହା ଅତିରିକ୍ତ ଉତ୍ତାପ ବିନା ଅବିଶ୍ୱସନୀୟ) | ଥର୍ମୋସୋନିକ୍ ବଲ୍ ବନ୍ଧନ:
ଥର୍ମୋସୋନିକ୍ ତାର ବନ୍ଧନର ଅନ୍ୟ ଏକ ରୂପ ହେଉଛି ବଲ୍ ବନ୍ଧନ (ଏଠାରେ ବଲ୍ ବଣ୍ଡ ଚକ୍ର ଦେଖନ୍ତୁ) | ଏହି ପଦ୍ଧତି ପାରମ୍ପାରିକ ଥର୍ଜ ଡିଜାଇନ୍ ଉପରେ ଏକ ସେରାମିକ୍ କ୍ୟାପିଲାରୀ ବଣ୍ଡିଂ ଉପକରଣ ବ୍ୟବହାର କରେ ଯାହା ଉଭୟ ଥର୍ମୋ-ସଙ୍କୋଚନ ଏବଂ ଅଲଟ୍ରାସୋନିକ୍ ବନ୍ଧନରେ ସର୍ବୋତ୍ତମ ଗୁଣଗୁଡ଼ିକୁ ଏକତ୍ର କରିଥାଏ | ଥର୍ମୋସୋନିକ୍ କମ୍ପନ ନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ ତାପମାତ୍ରା କମ୍ ରହିଥାଏ, ଯେତେବେଳେ ପ୍ରଥମ ଆନ୍ତ c- ସଂଯୋଗ, ଥର୍ମାଲି-ସଙ୍କୋଚିତ ବଲ୍ ବଣ୍ଡ ତାର ଏବଂ ଦ୍ secondary ିତୀୟ ବନ୍ଧକୁ ଯେକ direction ଣସି ଦିଗରେ ରଖିବାକୁ ଅନୁମତି ଦେଇଥାଏ, ପ୍ରଥମ ବଣ୍ଡ ସହିତ ଇନ-ଲାଇନ୍ ନୁହେଁ, ଯାହା ଅଲଟ୍ରାସୋନିକ୍ ତାର ବନ୍ଧନରେ ଏକ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ଅଟେ | । ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ, ଉଚ୍ଚ ଭଲ୍ୟୁମ୍ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ, ବଲ୍ ବଣ୍ଡର୍ସ ଅଲଟ୍ରାସୋନିକ୍ / ଥର୍ମୋସୋନିକ୍ (ୱେଜ୍) ବଣ୍ଡର୍ ଅପେକ୍ଷା ଯଥେଷ୍ଟ ଦ୍ରୁତ ଅଟେ, ଯାହା ଗତ 50+ ବର୍ଷ ପାଇଁ ମାଇକ୍ରୋ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ଥର୍ମୋସୋନିକ୍ ବଲ୍କୁ ପ୍ରାଧାନ୍ୟ ଆନ୍ତ c- ସଂଯୋଗ ପ୍ରଯୁକ୍ତିକୁ ବାନ୍ଧି ରଖିଥାଏ | ରିବନ୍ ବନ୍ଧନ:
ଫ୍ଲାଟ ମେଟାଲିକ୍ ଟେପ୍ ବ୍ୟବହାର କରି ରିବନ୍ ବନ୍ଧନ, ଦଶନ୍ଧି ଧରି ଆରଏଫ୍ ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ପ୍ରାଧାନ୍ୟ ବିସ୍ତାର କରିଆସୁଥିଲା (ରିବନ୍ ପାରମ୍ପାରିକ ଗୋଲାକାର ତାର ସହିତ ସିଗନାଲ୍ ହ୍ରାସ [ଚର୍ମ ପ୍ରଭାବ] ରେ ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ ଉନ୍ନତି ପ୍ରଦାନ କରିଥାଏ) | ଛୋଟ ସୁନା ରିବନ୍, ସାଧାରଣତ 75 75µ ମିଟର ଚଉଡା ଏବଂ 25µ ମିଟର ମୋଟା, ଏକ ଥର୍ମୋସୋନିକ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ମାଧ୍ୟମରେ ଏକ ବଡ଼ ଫ୍ଲାଟ ମୁଖ ବିଶିଷ୍ଟ ୱେଜ୍ ବନ୍ଧନ ଉପକରଣ ସହିତ ବନ୍ଧା | 2,000µ ମିଟର ଚଉଡା ଏବଂ 250µm ମୋଟା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଆଲୁମିନିୟମ୍ ରିବନ୍ ମଧ୍ୟ ଅଲଟ୍ରାସୋନିକ୍ ୱେଜ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସହିତ ବନ୍ଧା ହୋଇପାରେ | ନିମ୍ନ ଲୁପ୍, ଉଚ୍ଚ ସାନ୍ଦ୍ରତା ଆନ୍ତ c- ସଂଯୋଗ ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକତା ବୃଦ୍ଧି ପାଇଛି |

ସୁନା ବନ୍ଧନ ତାର କ’ଣ?

ସୁନା ତାର ବନ୍ଧନ ହେଉଛି ଏକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯାହା ଦ୍ an ାରା ଏକ ଆନ୍ତ c- ସଂଯୋଗ କିମ୍ବା ଏକ ବ r ଦୁତିକ ଭାବରେ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ପଥ ଗଠନ ପାଇଁ ଏକ ସଭାରେ ଦୁଇଟି ପଏଣ୍ଟ ସହିତ ସୁନା ତାର ସଂଯୁକ୍ତ | ସୁନା ତାର ପାଇଁ ସଂଲଗ୍ନ ପଏଣ୍ଟ ଗଠନ ପାଇଁ ଉତ୍ତାପ, ଅଲଟ୍ରାସୋନିକ୍ସ ଏବଂ ଫୋର୍ସ ସମସ୍ତଙ୍କୁ ନିୟୋଜିତ କରାଯାଏ | ସଂଲଗ୍ନ ବିନ୍ଦୁ ସୃଷ୍ଟି କରିବାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ତାର ତାର ବନ୍ଧ ଉପକରଣ, କ୍ୟାପିଲାରୀର ଏକ ସୁନା ବଲ ଗଠନ ସହିତ ଆରମ୍ଭ ହୁଏ | ଉଭୟ ବଲ୍ ଏକ ପ୍ରୟୋଗ-ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପରିମାଣର ବଳ ଏବଂ 60kHz - 152kHz ଅଲ୍ଟ୍ରାସୋନିକ୍ ଗତିର ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପ୍ରୟୋଗ କରିବା ସମୟରେ ଉତ୍ତପ୍ତ ଆସେମ୍ବଲି ପୃଷ୍ଠରେ ଦବାଯାଏ | ପ୍ରଥମ ବଣ୍ଡ ତିଆରି ହେବା ପରେ ତାରକୁ ଏକ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯିବ | ବିଧାନସଭାର ଜ୍ୟାମିତି ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ ଲୁପ୍ ଆକୃତି ଗଠନ କରିବାର ପଦ୍ଧତି | ଦ୍ୱିତୀୟ ବଣ୍ଡ, ଯାହାକୁ ପ୍ରାୟତ the ଷ୍ଟିଚ୍ କୁହାଯାଏ, ତାପରେ ତାର ସହିତ ତଳକୁ ଦବାଇ ଏବଂ ବନ୍ଧରେ ତାରକୁ ଛିଣ୍ଡାଇବା ପାଇଁ ଏକ କ୍ଲମ୍ପ ବ୍ୟବହାର କରି ଅନ୍ୟ ପୃଷ୍ଠରେ ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ |

 

ସୁନା ତାର ତାର ବନ୍ଧନ ପ୍ୟାକେଜଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରେ ଏକ ଆନ୍ତ c- ସଂଯୋଗ ପ୍ରଣାଳୀ ପ୍ରଦାନ କରେ ଯାହା ଅତ୍ୟଧିକ ବ r ଦୁତିକ ଭାବରେ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭ୍ ଅଟେ, ପ୍ରାୟ କିଛି ବିକ୍ରେତାଙ୍କଠାରୁ ଅଧିକ ପରିମାଣର କ୍ରମାଙ୍କ | ଏଥିସହ, ଅନ୍ୟ ତାର ସାମଗ୍ରୀ ତୁଳନାରେ ସୁନା ତାରଗୁଡ଼ିକରେ ଅଧିକ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ସହନଶୀଳତା ରହିଥାଏ ଏବଂ ଅଧିକାଂଶ ଅପେକ୍ଷା ନରମ, ଯାହା ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ପୃଷ୍ଠଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଜରୁରୀ |
ବିଧାନସଭାର ଆବଶ୍ୟକତା ଉପରେ ଆଧାର କରି ପ୍ରକ୍ରିୟା ମଧ୍ୟ ଭିନ୍ନ ହୋଇପାରେ | ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ସାମଗ୍ରୀ ସହିତ, ଏକ ସୁନା ବଲ୍ ଦ୍ bond ିତୀୟ ବନ୍ଧନ କ୍ଷେତ୍ର ଉପରେ ରଖାଯାଇପାରିବ ଯାହା ଉଭୟ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ବନ୍ଧନ ଏବଂ ଉପାଦାନର ପୃଷ୍ଠରେ ନଷ୍ଟ ନହେବା ପାଇଁ ଏକ “ନରମ” ବଣ୍ଡ ସୃଷ୍ଟି କରିବ | ଟାଇଟ୍ ସ୍ପେସ୍ ସହିତ, ଗୋଟିଏ ବଲ୍ ଦୁଇଟି ବଣ୍ଡ୍ ପାଇଁ ଏକ ପ୍ରାରମ୍ଭ ବିନ୍ଦୁ ଭାବରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ, ଏକ “V” ଆକୃତିର ବଣ୍ଡ ଗଠନ | ଯେତେବେଳେ ଏକ ତାର ବଣ୍ଡ ଅଧିକ ଦୃ ust ହେବା ଆବଶ୍ୟକ, ତାରର ସ୍ଥିରତା ଏବଂ ଶକ୍ତି ବ increasing ାଇ ଏକ ସୁରକ୍ଷା ବନ୍ଧ ଗଠନ ପାଇଁ ଏକ ବଲ ସିଲେଇ ଉପରେ ରଖାଯାଇପାରିବ | ତାର ବନ୍ଧନ ପାଇଁ ଅନେକ ଭିନ୍ନ ପ୍ରୟୋଗ ଏବଂ ଭିନ୍ନତା ପ୍ରାୟ ଅସୀମ ଏବଂ ପାଲୋମାରର ତାର ବଣ୍ଡ ସିଷ୍ଟମରେ ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ସଫ୍ଟୱେୟାର ବ୍ୟବହାର ଦ୍ୱାରା ହାସଲ କରାଯାଇପାରିବ |

99

ତାର ବନ୍ଧନ ବିକାଶ:
1950 ଦଶକରେ ଜର୍ମାନରେ ତାର ବନ୍ଧନ ଆବିଷ୍କୃତ ହୋଇଥିଲା ଏବଂ ଏକ ପରୀକ୍ଷାମୂଳକ ପର୍ଯ୍ୟବେକ୍ଷଣ ମାଧ୍ୟମରେ ଏହା ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ ଏକ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ବିକଶିତ ହୋଇଥିଲା | ଆଜି ପ୍ୟାକେଜ୍ ଲିଡ୍, ଡିସ୍କ ଡ୍ରାଇଭ୍ ହେଡ୍ ପ୍ରି-ଏମ୍ପ୍ଲିଫାୟର୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଅନେକ ପ୍ରୟୋଗ ଯାହା ବ day ଦୁତିକ ଭାବରେ ଆନ୍ତ c- ସଂଯୋଗ କରୁଥିବା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଚିପ୍ସ ପାଇଁ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଯାହା ଦ day ନନ୍ଦିନ ଆଇଟମଗୁଡ଼ିକୁ ଛୋଟ, “ସ୍ମାର୍ଟ” ଏବଂ ଅଧିକ ଦକ୍ଷ ହେବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ |

ବନ୍ଧନ ତାରଗୁଡ଼ିକ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ |

 

ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ବ mini ୁଥିବା ମିନିଟ୍ରାଇଜେସନ୍ ଫଳାଫଳ ହୋଇଛି |
ବନ୍ଧନ ତାରଗୁଡ଼ିକରେ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଉପାଦାନ ହୋଇଯାଏ |
ବ electronic ଦ୍ୟୁତିକ ସଭାଗୁଡ଼ିକ |
ଏହି ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ପାଇଁ ସୂକ୍ଷ୍ମ ଏବଂ ଅଲ୍ଟ୍ରାଫାଇନ୍ ବନ୍ଧନ ତାରଗୁଡ଼ିକ |
ସୁନା, ଆଲୁମିନିୟମ୍, ତମ୍ବା ଏବଂ ପାଲାଡିୟମ୍ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ସର୍ବୋଚ୍ଚ
ବିଶେଷକରି ସେମାନଙ୍କ ଗୁଣବତ୍ତା ଉପରେ ଦାବି କରାଯାଏ |
ତାର ଗୁଣଗୁଡ଼ିକର ସମାନତା ପାଇଁ |
ସେମାନଙ୍କର ରାସାୟନିକ ଗଠନ ଏବଂ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ |
ଗୁଣ, ବନ୍ଧନ ତାରଗୁଡ଼ିକ ବନ୍ଧନ ସହିତ ଅନୁକୂଳ |
କ technique ଶଳ ମନୋନୀତ ଏବଂ ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ବନ୍ଧନ ଯନ୍ତ୍ରଗୁଡ଼ିକ ପରି |
ବିଧାନସଭା ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାରେ ଥିବା ବିଭିନ୍ନ ଆହ୍ .ାନକୁ |
ହେରାୟସ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏକ ବ୍ୟାପକ ଉତ୍ପାଦ ପରିସର ପ୍ରଦାନ କରେ |
ର ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ |
ଅଟୋମୋବାଇଲ୍ ଶିଳ୍ପ |
ଟେଲି ଯୋଗାଯୋଗ |
ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ନିର୍ମାତା |
ଗ୍ରାହକ ସାମଗ୍ରୀ ଶିଳ୍ପ |
ହେରାୟସ୍ ବଣ୍ଡିଂ ତାର ଉତ୍ପାଦ ଗୋଷ୍ଠୀଗୁଡ଼ିକ ହେଉଛି:
ପ୍ଲାଷ୍ଟିକରେ ଭର୍ତ୍ତି ହୋଇଥିବା ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ବନ୍ଧନ ତାରଗୁଡ଼ିକ |
ବ electronic ଦ୍ୟୁତିକ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ |
ପାଇଁ ଆଲୁମିନିୟମ୍ ଏବଂ ଆଲୁମିନିୟମ୍ ମିଶ୍ରିତ ବନ୍ଧନ ତାରଗୁଡ଼ିକ |
ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ଯାହା କମ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ତାପମାତ୍ରା ଆବଶ୍ୟକ କରେ |
ଏକ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଭାବରେ ତମ୍ବା ବନ୍ଧନ ତାର ଏବଂ |
ସୁନା ତାର ପାଇଁ ଅର୍ଥନ alternative ତିକ ବିକଳ୍ପ |
ପାଇଁ ମୂଲ୍ୟବାନ ଏବଂ ଅମୂଲ୍ୟ ଧାତୁ ବନ୍ଧନ ରିବନ୍ |
ବୃହତ ଯୋଗାଯୋଗ କ୍ଷେତ୍ର ସହିତ ବ electrical ଦୁତିକ ସଂଯୋଗ |

 

 

37
38

ବନ୍ଧନ ତାରଗୁଡ଼ିକ ଉତ୍ପାଦନ ରେଖା |

https://www.hasungcasting.com/high-vacuum-continuous-casting-machine-for-new-materials-casting-bond-gold-silver-copper-wire-product/

ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଜୁଲାଇ -22-2022 |